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技能介紹LED背光源與制作流程
時間：2015-11-23 作者：網(wǎng)絡(luò)編輯 點(diǎn)擊:次
一、LED制作流程
國際和國內(nèi)MOVCD設(shè)備底子是全進(jìn)口的，首要廠商為美國VEECO公司和德國AIXTRON公司兩家。
1.上游外延技能
在外延爐（Metal Organic Chemical Vapour Deposition，簡稱MOCVD）高溫高壓無氧環(huán)境下，有機(jī)金屬（MO源）和氫化物分解成原子有序地淀積在晶片的外表，變成外延層（Epitaxy）。上游外延制作附加值最高。
2.中游芯片技能
中游廠商依據(jù)LED元件結(jié)構(gòu)的需求，先進(jìn)行金屬蒸鍍，然后在外延晶片上光罩蝕刻及熱處理而制作LED兩頭的金屬電極，接著將襯底磨薄、拋光后切開為細(xì)微的LED芯片，因?yàn)橐r底較脆且機(jī)械加工性差，芯片切開進(jìn)程的成品率為中游制作時期的要點(diǎn)。中游的最終一步是測驗(yàn)分選。
3.下流封裝技能
下流是把從中游來的芯片張貼并焊接導(dǎo)線架，經(jīng)由測驗(yàn)、封膠，然后封裝成各種不一樣的商品。
二、開展半導(dǎo)體照明工業(yè)具有極其首要的戰(zhàn)略意義
1.節(jié)約能源，推進(jìn)環(huán)保
本亞泰中研信息咨詢有限公司的陳述關(guān)于國際能源危機(jī)，照明節(jié)能是完成國家節(jié)能的有效途徑。我國是僅次于美國的第二發(fā)電大國，在我國2004年發(fā)電量2.19萬億度中約有12%用于照明，到2010年照明用電將到達(dá)3500億度。專家猜測，2015年后，我國半導(dǎo)體照下一年節(jié)約用電將超越三峽電站全年的發(fā)電量。
我國的電力出產(chǎn)80%為火力發(fā)電，焚燒很多的原煤和石油，發(fā)生很多的粉塵和二氧化碳、二氧化硫等氣體，環(huán)境污染嚴(yán)峻，經(jīng)過半導(dǎo)體照明的運(yùn)用能夠削減電力運(yùn)用及少污染物的排放;一起，半導(dǎo)體照明自身易于收回，沒有汞等有害污染疑問。
